| Fabricant | |
| Référence Fabricant | TC6320K6-G |
| Référence EBEE | E8624991 |
| Boîtier | DFN-8-EP(4x4) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 1 N-Channel + 1 P-Channel DFN-8-EP(4x4) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6303 | $ 4.6303 |
| 10+ | $4.0134 | $ 40.1340 |
| 30+ | $3.6458 | $ 109.3740 |
| 100+ | $3.2751 | $ 327.5100 |
| 500+ | $3.1032 | $ 1551.6000 |
| 1000+ | $3.0259 | $ 3025.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Microchip Tech TC6320K6-G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | N-Channel + P-Channel | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 23pF;30pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Drain to Source Voltage | 200V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2A | |
| Output Capacitance(Coss) | 60pF;55pF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6303 | $ 4.6303 |
| 10+ | $4.0134 | $ 40.1340 |
| 30+ | $3.6458 | $ 109.3740 |
| 100+ | $3.2751 | $ 327.5100 |
| 500+ | $3.1032 | $ 1551.6000 |
| 1000+ | $3.0259 | $ 3025.9000 |
