| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM50UM09FAG |
| Référence EBEE | E85554289 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 497A 10mΩ@10V,248.5A 5kW 5V@30mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,373.2116 | $ 1373.2116 |
| 200+ | $547.9216 | $ 109584.3200 |
| 500+ | $529.6121 | $ 264806.0500 |
| 1000+ | $520.5646 | $ 520564.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APTM50UM09FAG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 497A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 10mΩ@10V,248.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 5kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@30mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 63.3nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 1.2uC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,373.2116 | $ 1373.2116 |
| 200+ | $547.9216 | $ 109584.3200 |
| 500+ | $529.6121 | $ 264806.0500 |
| 1000+ | $520.5646 | $ 520564.6000 |
