| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM50DAM19G |
| Référence EBEE | E85948975 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 163A 1.136kW 22.5mΩ@10V,81.5A 3V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $641.4344 | $ 641.4344 |
| 200+ | $255.9363 | $ 51187.2600 |
| 500+ | $247.3855 | $ 123692.7500 |
| 1000+ | $243.1597 | $ 243159.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APTM50DAM19G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 163A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 22.5mΩ@10V,81.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.136kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@10mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 22.4nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 492nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $641.4344 | $ 641.4344 |
| 200+ | $255.9363 | $ 51187.2600 |
| 500+ | $247.3855 | $ 123692.7500 |
| 1000+ | $243.1597 | $ 243159.7000 |
