| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM20UM03FAG |
| Référence EBEE | E85589027 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 580A 3.6mΩ@10V,290A 2.27kW 5V@15mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,132.4550 | $ 1132.4550 |
| 200+ | $451.8578 | $ 90371.5600 |
| 500+ | $436.7582 | $ 218379.1000 |
| 1000+ | $429.2964 | $ 429296.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APTM20UM03FAG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 580A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.6mΩ@10V,290A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2.27kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@15mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 43.3nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 840nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,132.4550 | $ 1132.4550 |
| 200+ | $451.8578 | $ 90371.5600 |
| 500+ | $436.7582 | $ 218379.1000 |
| 1000+ | $429.2964 | $ 429296.4000 |
