| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM20DAM08TG |
| Référence EBEE | E85948973 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 200V 208A 10mΩ@10V,104A 781W 5V@5mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $283.4728 | $ 283.4728 |
| 200+ | $113.1083 | $ 22621.6600 |
| 500+ | $109.3285 | $ 54664.2500 |
| 1000+ | $107.4605 | $ 107460.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APTM20DAM08TG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 200V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 208A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 10mΩ@10V,104A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 781W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@5mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 14.4nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 280nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $283.4728 | $ 283.4728 |
| 200+ | $113.1083 | $ 22621.6600 |
| 500+ | $109.3285 | $ 54664.2500 |
| 1000+ | $107.4605 | $ 107460.5000 |
