| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM10UM01FAG |
| Référence EBEE | E85948971 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 860A 1.6mΩ@10V,275A 2.5kW 4V@12mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,148.1296 | $ 1148.1296 |
| 200+ | $458.1119 | $ 91622.3800 |
| 500+ | $442.8032 | $ 221401.6000 |
| 1000+ | $435.2387 | $ 435238.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APTM10UM01FAG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 860A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.6mΩ@10V,275A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 2.5kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@12mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 60nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 2.1uC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,148.1296 | $ 1148.1296 |
| 200+ | $458.1119 | $ 91622.3800 |
| 500+ | $442.8032 | $ 221401.6000 |
| 1000+ | $435.2387 | $ 435238.7000 |
