| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM10DAM05TG |
| Référence EBEE | E85554281 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 278A 780W 5mΩ@10V,125A 2V@5mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $288.9881 | $ 288.9881 |
| 200+ | $115.3091 | $ 23061.8200 |
| 500+ | $111.4563 | $ 55728.1500 |
| 1000+ | $109.5516 | $ 109551.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APTM10DAM05TG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 278A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 5mΩ@10V,125A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 780W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@5mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 20nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 700nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $288.9881 | $ 288.9881 |
| 200+ | $115.3091 | $ 23061.8200 |
| 500+ | $111.4563 | $ 55728.1500 |
| 1000+ | $109.5516 | $ 109551.6000 |
