| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM100UM45FAG |
| Référence EBEE | E85554270 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1kV 215A 52mΩ@10V,107.5A 5kW 3V@30mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,461.5871 | $ 1461.5871 |
| 200+ | $583.1829 | $ 116636.5800 |
| 500+ | $563.6955 | $ 281847.7500 |
| 1000+ | $554.0660 | $ 554066.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APTM100UM45FAG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 215A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 52mΩ@10V,107.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 5kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@30mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 42.7nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 1.602uC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1,461.5871 | $ 1461.5871 |
| 200+ | $583.1829 | $ 116636.5800 |
| 500+ | $563.6955 | $ 281847.7500 |
| 1000+ | $554.0660 | $ 554066.0000 |
