| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTM100DAM90G |
| Référence EBEE | E85569621 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1kV 78A 1.25kW 105mΩ@10V,39A 5V@10mA 1 N-channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $735.2730 | $ 735.2730 |
| 200+ | $293.3794 | $ 58675.8800 |
| 500+ | $283.5756 | $ 141787.8000 |
| 1000+ | $278.7311 | $ 278731.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APTM100DAM90G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 78A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 105mΩ@10V,39A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.25kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@10mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 20.7nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 744nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $735.2730 | $ 735.2730 |
| 200+ | $293.3794 | $ 58675.8800 |
| 500+ | $283.5756 | $ 141787.8000 |
| 1000+ | $278.7311 | $ 278731.1000 |
