| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APTC80TDU15PG |
| Référence EBEE | E817188645 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 28A 150mΩ@10V,14A 277W 3.9V@2mA 6 N-Channel MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $429.8278 | $ 429.8278 |
| 200+ | $171.5039 | $ 34300.7800 |
| 500+ | $165.7738 | $ 82886.9000 |
| 1000+ | $162.9419 | $ 162941.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APTC80TDU15PG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 6 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 28A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 150mΩ@10V,14A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 277W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3.9V@2mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 4.507nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 180nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $429.8278 | $ 429.8278 |
| 200+ | $171.5039 | $ 34300.7800 |
| 500+ | $165.7738 | $ 82886.9000 |
| 1000+ | $162.9419 | $ 162941.9000 |
