| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT80M60J |
| Référence EBEE | E85554224 |
| Boîtier | SOT-227B-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 84A 960W 55mΩ@10V,60A 4V@5mA 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $174.6410 | $ 174.6410 |
| 200+ | $69.6829 | $ 13936.5800 |
| 500+ | $67.3547 | $ 33677.3500 |
| 1000+ | $66.2046 | $ 66204.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT80M60J | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 84A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 55mΩ@10V,60A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 960W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@5mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 245pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 24nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 600nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $174.6410 | $ 174.6410 |
| 200+ | $69.6829 | $ 13936.5800 |
| 500+ | $67.3547 | $ 33677.3500 |
| 1000+ | $66.2046 | $ 66204.6000 |
