| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT80F60J |
| Référence EBEE | E86125227 |
| Boîtier | SOT-227B-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 84A 961W 55mΩ@10V,60A [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $188.9163 | $ 188.9163 |
| 200+ | $75.3794 | $ 15075.8800 |
| 500+ | $72.8596 | $ 36429.8000 |
| 1000+ | $71.6153 | $ 71615.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT80F60J | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 84A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 55mΩ@10V,60A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 961W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 245pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 23.994nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 598nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $188.9163 | $ 188.9163 |
| 200+ | $75.3794 | $ 15075.8800 |
| 500+ | $72.8596 | $ 36429.8000 |
| 1000+ | $71.6153 | $ 71615.3000 |
