| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT8065SVRG |
| Référence EBEE | E83293007 |
| Boîtier | TO-268 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 13A 280W 650mΩ@10V,13A 2V@1mA 1 N-channel TO-268 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $18.5604 | $ 18.5604 |
| 200+ | $7.1829 | $ 1436.5800 |
| 500+ | $6.9309 | $ 3465.4500 |
| 1000+ | $6.8067 | $ 6806.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT8065SVRG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 13A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 650mΩ@10V,13A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 280W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@1mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 225pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3700pF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 225nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $18.5604 | $ 18.5604 |
| 200+ | $7.1829 | $ 1436.5800 |
| 500+ | $6.9309 | $ 3465.4500 |
| 1000+ | $6.8067 | $ 6806.7000 |
