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Microchip Tech APT75GN60BDQ2G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT75GN60BDQ2G |
| Référence EBEE | E83193690 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 536W 155A 600V FS(Field Stop) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $26.5258 | $ 26.5258 |
| 200+ | $10.2650 | $ 2053.0000 |
| 500+ | $9.9048 | $ 4952.4000 |
| 1000+ | $9.7274 | $ 9727.4000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | Microchip Tech APT75GN60BDQ2G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | FS(Field Stop) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 155A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 536W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 385ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 47ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 600V | |
| Capacité d'entrée (Cies-Vce) | - | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 1.85V@15V,75A | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 485nC | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 25ns | |
| Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff) | 2.14mJ | |
| Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon) | 2.5mJ |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $26.5258 | $ 26.5258 |
| 200+ | $10.2650 | $ 2053.0000 |
| 500+ | $9.9048 | $ 4952.4000 |
| 1000+ | $9.7274 | $ 9727.4000 |
