| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT60N60SCSG |
| Référence EBEE | E85569545 |
| Boîtier | D3PAK |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 60A 431W 45mΩ@10V,44A 3.9V@3mA 1 N-channel D3PAK MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $67.2937 | $ 67.2937 |
| 200+ | $26.8517 | $ 5370.3400 |
| 500+ | $25.9542 | $ 12977.1000 |
| 1000+ | $25.5116 | $ 25511.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT60N60SCSG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 60A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 45mΩ@10V,44A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 431W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3.9V@3mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 7.2nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 190nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $67.2937 | $ 67.2937 |
| 200+ | $26.8517 | $ 5370.3400 |
| 500+ | $25.9542 | $ 12977.1000 |
| 1000+ | $25.5116 | $ 25511.6000 |
