| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT60M75JVR |
| Référence EBEE | E87216502 |
| Boîtier | SOT-227B-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 62A 75mΩ@10V,500mA 700W 2V@5mA 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $250.6596 | $ 250.6596 |
| 200+ | $100.0161 | $ 20003.2200 |
| 500+ | $96.6735 | $ 48336.7500 |
| 1000+ | $95.0214 | $ 95021.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT60M75JVR | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 62A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 75mΩ@10V,500mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 700W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@5mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 19.8nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 1.05uC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $250.6596 | $ 250.6596 |
| 200+ | $100.0161 | $ 20003.2200 |
| 500+ | $96.6735 | $ 48336.7500 |
| 1000+ | $95.0214 | $ 95021.4000 |
