| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT60GT60JRDQ3 |
| Référence EBEE | E83191193 |
| Boîtier | SOT-227-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 379W 105A 600V NPT (non-penetrating type) SOT-227-4 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $121.1192 | $ 121.1192 |
| 200+ | $46.8712 | $ 9374.2400 |
| 500+ | $45.2251 | $ 22612.5500 |
| 1000+ | $44.4099 | $ 44409.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | Microchip Tech APT60GT60JRDQ3 | |
| RoHS | ||
| Type | NPT (non-penetrating type) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 105A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 379W | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 600V | |
| Capacité d'entrée (Cies-Vce) | 3.1nF@25V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 2.5V@15V,60A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $121.1192 | $ 121.1192 |
| 200+ | $46.8712 | $ 9374.2400 |
| 500+ | $45.2251 | $ 22612.5500 |
| 1000+ | $44.4099 | $ 44409.9000 |
