| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT58F50J |
| Référence EBEE | E86125226 |
| Boîtier | SOT-227B-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 58A 540W 65mΩ@10V,42A [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $101.9905 | $ 101.9905 |
| 200+ | $40.6965 | $ 8139.3000 |
| 500+ | $39.3356 | $ 19667.8000 |
| 1000+ | $38.6647 | $ 38664.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT58F50J | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 58A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 65mΩ@10V,42A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 540W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 13.5nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 340nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $101.9905 | $ 101.9905 |
| 200+ | $40.6965 | $ 8139.3000 |
| 500+ | $39.3356 | $ 19667.8000 |
| 1000+ | $38.6647 | $ 38664.7000 |
