| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT56F60B2 |
| Référence EBEE | E85554210 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 60A 1.04kW 110mΩ@10V,28A [email protected] 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $76.3639 | $ 76.3639 |
| 200+ | $30.4710 | $ 6094.2000 |
| 500+ | $29.4516 | $ 14725.8000 |
| 1000+ | $28.9498 | $ 28949.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT56F60B2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 60A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 110mΩ@10V,28A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.04kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 11.3nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 280nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $76.3639 | $ 76.3639 |
| 200+ | $30.4710 | $ 6094.2000 |
| 500+ | $29.4516 | $ 14725.8000 |
| 1000+ | $28.9498 | $ 28949.8000 |
