| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT50GT120LRG |
| Référence EBEE | E83194053 |
| Boîtier | TO-264(L) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 625W 50A 1.2kV NPT (non-penetrating type) TO-264(L) IGBT Transistors / Modules ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $46.0941 | $ 46.0941 |
| 200+ | $17.8382 | $ 3567.6400 |
| 500+ | $17.2119 | $ 8605.9500 |
| 1000+ | $16.9014 | $ 16901.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | Microchip Tech APT50GT120LRG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | NPT (non-penetrating type) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 50A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 625W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 230ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 24ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Capacité d'entrée (Cies-Vce) | - | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 3.7V@15V,50A | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 340nC | |
| Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff) | 2.33mJ | |
| Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon) | - |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $46.0941 | $ 46.0941 |
| 200+ | $17.8382 | $ 3567.6400 |
| 500+ | $17.2119 | $ 8605.9500 |
| 1000+ | $16.9014 | $ 16901.4000 |
