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Microchip Tech APT50GS60BRDQ2G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT50GS60BRDQ2G |
| Référence EBEE | E83193674 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 415W 93A 600V NPT (non-penetrating type) TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $19.9551 | $ 19.9551 |
| 10+ | $19.1603 | $ 191.6030 |
| 30+ | $17.7833 | $ 533.4990 |
| 90+ | $16.5838 | $ 1492.5420 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | Microchip Tech APT50GS60BRDQ2G | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | NPT (non-penetrating type) | |
| Courant du collecteur (Ic) | 93A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 415W | |
| Retournez-vous ? Délai de retard (Td(off)) | 225ns | |
| Retournez-vous ? sur l'heure de retard (Td(on)) | 16ns | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 600V | |
| Capacité d'entrée (Cies-Vce) | - | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 3.15V@15V,50A | |
| Charge totale sur les Portes (Qg-Ic, Vge) | 235nC | |
| Délai de récupération inverse de la diode (Trr) | 25ns | |
| Retournez-vous ? Découpe de la commutation (Eoff) | 0.755mJ | |
| Retournez-vous ? sur la perte de commutation (Eon) | - |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $19.9551 | $ 19.9551 |
| 10+ | $19.1603 | $ 191.6030 |
| 30+ | $17.7833 | $ 533.4990 |
| 90+ | $16.5838 | $ 1492.5420 |
