| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT5010JVRU2 |
| Référence EBEE | E86124809 |
| Boîtier | SOT-227 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 500V 44A 450W 100mΩ@10V,22A [email protected] 1 N-channel SOT-227 MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $91.2317 | $ 91.2317 |
| 200+ | $36.4028 | $ 7280.5600 |
| 500+ | $35.1864 | $ 17593.2000 |
| 1000+ | $34.5853 | $ 34585.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT5010JVRU2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 500V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 44A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 100mΩ@10V,22A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 450W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 7.41nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 312nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $91.2317 | $ 91.2317 |
| 200+ | $36.4028 | $ 7280.5600 |
| 500+ | $35.1864 | $ 17593.2000 |
| 1000+ | $34.5853 | $ 34585.3000 |
