| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT47M60J |
| Référence EBEE | E85569529 |
| Boîtier | SOT-227B-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 600V 49A 90mΩ@10V,33A 540W [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $101.7779 | $ 101.7779 |
| 200+ | $40.6112 | $ 8122.2400 |
| 500+ | $39.2536 | $ 19626.8000 |
| 1000+ | $38.5828 | $ 38582.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT47M60J | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 600V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 49A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 90mΩ@10V,33A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 540W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 135pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 13.19nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 330nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $101.7779 | $ 101.7779 |
| 200+ | $40.6112 | $ 8122.2400 |
| 500+ | $39.2536 | $ 19626.8000 |
| 1000+ | $38.5828 | $ 38582.8000 |
