| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT41M80L |
| Référence EBEE | E87450759 |
| Boîtier | TO-264 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 43A 1.04kW 210mΩ@10V,20A [email protected] 1 N-channel TO-264 MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $43.4354 | $ 43.4354 |
| 200+ | $17.3313 | $ 3466.2600 |
| 500+ | $16.7527 | $ 8376.3500 |
| 1000+ | $16.4670 | $ 16467.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT41M80L | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 43A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 210mΩ@10V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.04kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 8.07nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 260nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $43.4354 | $ 43.4354 |
| 200+ | $17.3313 | $ 3466.2600 |
| 500+ | $16.7527 | $ 8376.3500 |
| 1000+ | $16.4670 | $ 16467.0000 |
