| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT41M80B2 |
| Référence EBEE | E87077496 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 43A 1.04kW 210mΩ@10V,20A [email protected] 1 N-channel TO-247-3 MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $53.5414 | $ 53.5414 |
| 200+ | $21.3640 | $ 4272.8000 |
| 500+ | $20.6494 | $ 10324.7000 |
| 1000+ | $20.2974 | $ 20297.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT41M80B2 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 43A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 210mΩ@10V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.04kW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 8.07nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 260nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $53.5414 | $ 53.5414 |
| 200+ | $21.3640 | $ 4272.8000 |
| 500+ | $20.6494 | $ 10324.7000 |
| 1000+ | $20.2974 | $ 20297.4000 |
