| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT32M80J |
| Référence EBEE | E85588972 |
| Boîtier | SOT-227B-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 33A 543W 190mΩ@10V,24A [email protected] 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $101.7169 | $ 101.7169 |
| 200+ | $40.5867 | $ 8117.3400 |
| 500+ | $39.2310 | $ 19615.5000 |
| 1000+ | $38.5602 | $ 38560.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT32M80J | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 33A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 190mΩ@10V,24A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 543W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | [email protected] | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 159pF@800V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 9326pF@800V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 303nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $101.7169 | $ 101.7169 |
| 200+ | $40.5867 | $ 8117.3400 |
| 500+ | $39.2310 | $ 19615.5000 |
| 1000+ | $38.5602 | $ 38560.2000 |
