| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT30M19JVR |
| Référence EBEE | E85554181 |
| Boîtier | SOT-227B-4 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 300V 130A 19mΩ@10V,500mA 700W 4V@5mA 1 N-channel SOT-227B-4 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $226.7776 | $ 226.7776 |
| 200+ | $90.4859 | $ 18097.1800 |
| 500+ | $87.4626 | $ 43731.3000 |
| 1000+ | $85.9691 | $ 85969.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT30M19JVR | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 300V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 130A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 19mΩ@10V,500mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 700W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@5mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 21.6nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 975nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $226.7776 | $ 226.7776 |
| 200+ | $90.4859 | $ 18097.1800 |
| 500+ | $87.4626 | $ 43731.3000 |
| 1000+ | $85.9691 | $ 85969.1000 |
