| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT22F80B |
| Référence EBEE | E87453688 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 23A 500mΩ@10V,12A 625W 5V@1mA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $23.8177 | $ 23.8177 |
| 200+ | $9.5049 | $ 1900.9800 |
| 500+ | $9.1859 | $ 4592.9500 |
| 1000+ | $9.0290 | $ 9029.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT22F80B | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 23A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 500mΩ@10V,12A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 625W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@1mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 4.595nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 150nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $23.8177 | $ 23.8177 |
| 200+ | $9.5049 | $ 1900.9800 |
| 500+ | $9.1859 | $ 4592.9500 |
| 1000+ | $9.0290 | $ 9029.0000 |
