| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT18M80B |
| Référence EBEE | E87459568 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 19A 530mΩ@10V,9A 500W 4V@1mA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $17.9203 | $ 17.9203 |
| 200+ | $7.1504 | $ 1430.0800 |
| 500+ | $6.9116 | $ 3455.8000 |
| 1000+ | $6.7949 | $ 6794.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT18M80B | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 19A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 530mΩ@10V,9A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 500W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@1mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 65pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3.76nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 120nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $17.9203 | $ 17.9203 |
| 200+ | $7.1504 | $ 1430.0800 |
| 500+ | $6.9116 | $ 3455.8000 |
| 1000+ | $6.7949 | $ 6794.9000 |
