| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT18M100B |
| Référence EBEE | E87450830 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1kV 18A 700mΩ@10V,9A 625W 3V@1mA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $23.5145 | $ 23.5145 |
| 200+ | $9.3829 | $ 1876.5800 |
| 500+ | $9.0691 | $ 4534.5500 |
| 1000+ | $8.9140 | $ 8914.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT18M100B | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 1kV | |
| Courant de drainage continu (Id) | 18A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 700mΩ@10V,9A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 625W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@1mA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 65pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 4.845nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 150nC@10V |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $23.5145 | $ 23.5145 |
| 200+ | $9.3829 | $ 1876.5800 |
| 500+ | $9.0691 | $ 4534.5500 |
| 1000+ | $8.9140 | $ 8914.0000 |
