| Fabricant | |
| Référence Fabricant | APT12M80B |
| Référence EBEE | E87453685 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 800V 13A 335W 800mΩ@10V,6A 5V@1mA 1 N-channel TO-247 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.3179 | $ 13.3179 |
| 200+ | $5.3136 | $ 1062.7200 |
| 500+ | $5.1376 | $ 2568.8000 |
| 1000+ | $5.0487 | $ 5048.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | MICROCHIP APT12M80B | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 800V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 13A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 800mΩ@10V,6A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 335W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 5V@1mA | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.47nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 80nC@10V |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $13.3179 | $ 13.3179 |
| 200+ | $5.3136 | $ 1062.7200 |
| 500+ | $5.1376 | $ 2568.8000 |
| 1000+ | $5.0487 | $ 5048.7000 |
