| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MGP066N10N |
| Référence EBEE | E841380434 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 85A 125W 6.6mΩ@10V,13.5A 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4927 | $ 0.4927 |
| 10+ | $0.4003 | $ 4.0030 |
| 50+ | $0.3605 | $ 18.0250 |
| 100+ | $0.3115 | $ 31.1500 |
| 500+ | $0.2881 | $ 144.0500 |
| 1000+ | $0.2753 | $ 275.3000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Megain MGP066N10N | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 85A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 6.6mΩ@10V,13.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 125W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 26pF@50V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 3148pF@50V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 45nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4927 | $ 0.4927 |
| 10+ | $0.4003 | $ 4.0030 |
| 50+ | $0.3605 | $ 18.0250 |
| 100+ | $0.3115 | $ 31.1500 |
| 500+ | $0.2881 | $ 144.0500 |
| 1000+ | $0.2753 | $ 275.3000 |
