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MDD(Microdiode Semiconductor) SI2302S
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI2302S |
| Référence EBEE | E8427388 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 2.3A 48mΩ@4.5V,2A 1W 600mV@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0179 | $ 0.8950 |
| 500+ | $0.0146 | $ 7.3000 |
| 3000+ | $0.0110 | $ 33.0000 |
| 6000+ | $0.0100 | $ 60.0000 |
| 24000+ | $0.0090 | $ 216.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MDD(Microdiode Semiconductor) SI2302S | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 48mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | - | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | - | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 600mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 2.3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 160pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 6000+ | $0.0100 | $ 60.0000 |
| 24000+ | $0.0090 | $ 216.0000 |
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