5% off
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MDD50N06D |
| Référence EBEE | E85299416 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 50A 62.5W 17mΩ@10V,20A 2.5V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1418 | $ 0.7090 |
| 50+ | $0.1161 | $ 5.8050 |
| 150+ | $0.1033 | $ 15.4950 |
| 500+ | $0.0936 | $ 46.8000 |
| 2500+ | $0.0774 | $ 193.5000 |
| 5000+ | $0.0736 | $ 368.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD50N06D | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 17mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | - | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 92pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 62.5W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.889nF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.1418 | $ 0.7090 |
| 50+ | $0.1161 | $ 5.8050 |
| 150+ | $0.1033 | $ 15.4950 |
| 500+ | $0.0936 | $ 46.8000 |
| 2500+ | $0.0774 | $ 193.5000 |
| 5000+ | $0.0736 | $ 368.0000 |
