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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD50N03D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MDD50N03D |
| Référence EBEE | E85357578 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 30V 50A 28W 9mΩ@10V 1V@250uA 1 N-Channel TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
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| 20+ | $0.0910 | $ 1.8200 |
| 200+ | $0.0754 | $ 15.0800 |
| 600+ | $0.0673 | $ 40.3800 |
| 2500+ | $0.0595 | $ 148.7500 |
| 10000+ | $0.0572 | $ 572.0000 |
| 20000+ | $0.0556 | $ 1112.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD50N03D | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 6.5mΩ@10V;8.3mΩ@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -50℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 164pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 28W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 50A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.015nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 201pF | |
| Gate Charge(Qg) | 23.6nC |
Guide d’achat
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| 600+ | $0.0673 | $ 40.3800 |
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