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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD2310
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MDD2310 |
| Référence EBEE | E8427394 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 3A 350mW 500mV@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0355 | $ 0.3550 |
| 100+ | $0.0285 | $ 2.8500 |
| 300+ | $0.0246 | $ 7.3800 |
| 3000+ | $0.0223 | $ 66.9000 |
| 6000+ | $0.0203 | $ 121.8000 |
| 9000+ | $0.0192 | $ 172.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD2310 | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 79mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -50℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 19.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 350mW | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 247pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 34pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0355 | $ 0.3550 |
| 100+ | $0.0285 | $ 2.8500 |
| 300+ | $0.0246 | $ 7.3800 |
| 3000+ | $0.0223 | $ 66.9000 |
| 6000+ | $0.0203 | $ 121.8000 |
| 9000+ | $0.0192 | $ 172.8000 |
