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MDD(Microdiode Semiconductor) MDD2302
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MDD2302 |
| Référence EBEE | E8427390 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 20V 4A 28mΩ@2.5V,4A 1.25W 500mV@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0201 | $ 0.4020 |
| 200+ | $0.0183 | $ 3.6600 |
| 600+ | $0.0174 | $ 10.4400 |
| 3000+ | $0.0099 | $ 29.7000 |
| 9000+ | $0.0094 | $ 84.6000 |
| 21000+ | $0.0091 | $ 191.1000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD2302 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 28mΩ@2.5V | |
| Température de fonctionnement | -50℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 33pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 500mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 340pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.4nC@10V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0201 | $ 0.4020 |
| 200+ | $0.0183 | $ 3.6600 |
| 600+ | $0.0174 | $ 10.4400 |
| 3000+ | $0.0099 | $ 29.7000 |
| 9000+ | $0.0094 | $ 84.6000 |
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