5% off
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MDD20N65F |
| Référence EBEE | E85299409 |
| Boîtier | TO-220F |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 2A 45W 500mΩ@10V,10A 4V@250uA 1 N-channel TO-220F MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6200 | $ 0.6200 |
| 10+ | $0.5219 | $ 5.2190 |
| 50+ | $0.4133 | $ 20.6650 |
| 100+ | $0.3651 | $ 36.5100 |
| 500+ | $0.3364 | $ 168.2000 |
| 1000+ | $0.3198 | $ 319.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MDD(Microdiode Semiconductor) MDD20N65F | |
| RoHS | ||
| Type | - | |
| Configuration | - | |
| RDS (on) | 500mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 18pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 2.962nF | |
| Output Capacitance(Coss) | - | |
| Gate Charge(Qg) | 58.3nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6200 | $ 0.6200 |
| 10+ | $0.5219 | $ 5.2190 |
| 50+ | $0.4133 | $ 20.6650 |
| 100+ | $0.3651 | $ 36.5100 |
| 500+ | $0.3364 | $ 168.2000 |
| 1000+ | $0.3198 | $ 319.8000 |
