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MDD(Microdiode Semiconductor) BSS138
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | BSS138 |
| Référence EBEE | E8427380 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 50V 500mA 1.1Ω@4.5V,0.3A 500mW 1.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 30+ | $0.0156 | $ 0.4680 |
| 300+ | $0.0127 | $ 3.8100 |
| 900+ | $0.0110 | $ 9.9000 |
| 3000+ | $0.0090 | $ 27.0000 |
| 15000+ | $0.0082 | $ 123.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MDD(Microdiode Semiconductor) BSS138 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 1.1Ω@10V;2Ω@4.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 1.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 500mW | |
| Drain to Source Voltage | 50V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 340mA | |
| Ciss-Input Capacitance | 23.8pF | |
| Gate Charge(Qg) | 60nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 30+ | $0.0156 | $ 0.4680 |
| 300+ | $0.0127 | $ 3.8100 |
| 900+ | $0.0110 | $ 9.9000 |
| 3000+ | $0.0090 | $ 27.0000 |
| 15000+ | $0.0082 | $ 123.0000 |
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