| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MIP50R12E2ATN-BP |
| Référence EBEE | E817539621 |
| Boîtier | E2A |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 288W 50A 1.2kV E2A IGBT Transistors / Modules ROHS |
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $204.1868 | $ 204.1868 |
| 198+ | $81.4726 | $ 16131.5748 |
| 498+ | $78.7491 | $ 39217.0518 |
| 1002+ | $77.4057 | $ 77560.5114 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | - | |
| Courant du collecteur (Ic) | 50A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 288W | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Capacité d'entrée (Cies-Vce) | 2.6nF@25V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 2.3V@15V,50A |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $204.1868 | $ 204.1868 |
| 198+ | $81.4726 | $ 16131.5748 |
| 498+ | $78.7491 | $ 39217.0518 |
| 1002+ | $77.4057 | $ 77560.5114 |
