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MATSUKI ME96N03-G


Fabricant
Référence Fabricant
ME96N03-G
Référence EBEE
E82841363
Boîtier
TO-252-3L
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
30V 107.2A 6.3mΩ@4.5V,30A 62.5W 3V@250uA 1 N-channel TO-252-3L MOSFETs ROHS
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1000+$0.2164$ 216.4000
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5000+$0.2122$ 1061.0000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueMATSUKI ME96N03-G
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)30V
Courant de drainage continu (Id)107.2A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)6.3mΩ@4.5V,30A
Dissipation de puissance (Pd)62.5W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)3V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)277pF@25V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)2892pF@25V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)62nC

Guide d’achat

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