| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ME55N06A |
| Référence EBEE | E83647155 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 75V 64A 63W 9.5mΩ@10V,25A 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4678 | $ 0.4678 |
| 10+ | $0.4191 | $ 4.1910 |
| 30+ | $0.3956 | $ 11.8680 |
| 100+ | $0.3703 | $ 37.0300 |
| 500+ | $0.3396 | $ 169.8000 |
| 1000+ | $0.3324 | $ 332.4000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MATSUKI ME55N06A | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 75V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 64A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 9.5mΩ@10V,25A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 63W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 194pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1563pF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 114nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4678 | $ 0.4678 |
| 10+ | $0.4191 | $ 4.1910 |
| 30+ | $0.3956 | $ 11.8680 |
| 100+ | $0.3703 | $ 37.0300 |
| 500+ | $0.3396 | $ 169.8000 |
| 1000+ | $0.3324 | $ 332.4000 |
