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MATSUKI ME55N06A


Fabricant
Référence Fabricant
ME55N06A
Référence EBEE
E83647155
Boîtier
TO-252
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
75V 64A 63W 9.5mΩ@10V,25A 4V@250uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS
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10+$0.4191$ 4.1910
30+$0.3956$ 11.8680
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500+$0.3396$ 169.8000
1000+$0.3324$ 332.4000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueMATSUKI ME55N06A
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)75V
Courant de drainage continu (Id)64A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)9.5mΩ@10V,25A
Dissipation de puissance (Pd)63W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)4V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)194pF@15V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)1563pF@15V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)114nC@10V

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