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MATSUKI ME20N03
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ME20N03 |
| Référence EBEE | E8165225 |
| Boîtier | TO-252-2(DPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 39A 37W 15mΩ@10V,15A 3V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
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1832 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2228 | $ 1.1140 |
| 50+ | $0.1809 | $ 9.0450 |
| 150+ | $0.1630 | $ 24.4500 |
| 500+ | $0.1405 | $ 70.2500 |
| 2500+ | $0.1305 | $ 326.2500 |
| 5000+ | $0.1245 | $ 622.5000 |
| 10000+ | $0.1231 | $ 1231.0000 |
| 20000+ | $0.1220 | $ 2440.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MATSUKI ME20N03 | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 30V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 39A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 15mΩ@10V,15A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 37W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA |
Guide d’achat
Développer
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| 50+ | $0.1809 | $ 9.0450 |
| 150+ | $0.1630 | $ 24.4500 |
| 500+ | $0.1405 | $ 70.2500 |
| 2500+ | $0.1305 | $ 326.2500 |
| 5000+ | $0.1245 | $ 622.5000 |
| 10000+ | $0.1231 | $ 1231.0000 |
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