Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
MATSUKI ME15N10-G
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | ME15N10-G |
| Référence EBEE | E8147781 |
| Boîtier | TO-252-2(DPAK) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 14.7A 34.7W 100mΩ@10V,8A 3V@250uA 1 N-channel TO-252-2(DPAK) MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>2487 En stock pour livraison rapide
2487 disponible pour livraison immédiatePeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2144 | $ 1.0720 |
| 50+ | $0.1757 | $ 8.7850 |
| 150+ | $0.1592 | $ 23.8800 |
| 500+ | $0.1386 | $ 69.3000 |
| 2500+ | $0.1294 | $ 323.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MATSUKI ME15N10-G | |
| RoHS | ||
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 14.7A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 100mΩ@10V,8A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 34.7W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA |
Guide d’achat
Développer
2487 Stock for Shipping Fast
2487 available for immediate shippingPeut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2144 | $ 1.0720 |
| 50+ | $0.1757 | $ 8.7850 |
| 150+ | $0.1592 | $ 23.8800 |
| 500+ | $0.1386 | $ 69.3000 |
| 2500+ | $0.1294 | $ 323.5000 |
| 5000+ | $0.1239 | $ 619.5000 |
Meilleur prix pour plus de quantité ?
$
