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MATSUKI ME08N20-G


Fabricant
Référence Fabricant
ME08N20-G
Référence EBEE
E8709728
Boîtier
TO-252-3
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
200V 9A 350mΩ@10V,5A 74.9W 4V@250uA 1 N-channel TO-252-3 MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
5+$0.3182$ 1.5910
50+$0.2528$ 12.6400
150+$0.2248$ 33.7200
500+$0.1899$ 94.9500
2500+$0.1743$ 435.7500
5000+$0.1650$ 825.0000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueMATSUKI ME08N20-G
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃@(Tj)
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)200V
Courant de drainage continu (Id)9A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)350mΩ@10V,5A
Dissipation de puissance (Pd)74.9W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)4V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)21pF@25V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)2.61nF@25V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)51.7nC@10V

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