| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MSG80T65HHC0 |
| Référence EBEE | E87424069 |
| Boîtier | TO-247 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 80A 650V TO-247 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0174 | $ 3.0174 |
| 10+ | $2.5528 | $ 25.5280 |
| 30+ | $2.2767 | $ 68.3010 |
| 90+ | $1.9976 | $ 179.7840 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | MASPOWER MSG80T65HHC0 | |
| RoHS | ||
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 3.5V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | 260W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Td(off) | 340ns | |
| Td(on) | 25ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 75ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 3mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 980uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 3.3nF@25V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.0174 | $ 3.0174 |
| 10+ | $2.5528 | $ 25.5280 |
| 30+ | $2.2767 | $ 68.3010 |
| 90+ | $1.9976 | $ 179.7840 |
