| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MSG20T65FQS |
| Référence EBEE | E85353629 |
| Boîtier | TO-220F |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20A 650V TO-220F IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9341 | $ 0.9341 |
| 10+ | $0.7597 | $ 7.5970 |
| 50+ | $0.6648 | $ 33.2400 |
| 100+ | $0.5573 | $ 55.7300 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | MASPOWER MSG20T65FQS | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 4.5V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | 35W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 43.9nC@15V | |
| Td(off) | 52ns | |
| Td(on) | 16ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 28.7pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 254ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 300uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 790uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.5nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 80A | |
| Output Capacitance(Coes) | 128pF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.9341 | $ 0.9341 |
| 10+ | $0.7597 | $ 7.5970 |
| 50+ | $0.6648 | $ 33.2400 |
| 100+ | $0.5573 | $ 55.7300 |
