| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MSG20T120HLE0 |
| Référence EBEE | E837635855 |
| Boîtier | TO-263 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-263 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0039 | $ 1.0039 |
| 10+ | $0.9817 | $ 9.8170 |
| 30+ | $0.9659 | $ 28.9770 |
| 100+ | $0.9500 | $ 95.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | MASPOWER MSG20T120HLE0 | |
| RoHS | ||
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 5V@250uA | |
| Pd - Power Dissipation | 227W | |
| IGBT Type | FS (Field Stop) | |
| Gate Charge(Qg) | 160nC@15V | |
| Td(off) | 230ns | |
| Td(on) | 100ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 100pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 240ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 1.5mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 2.4mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 4.67nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 120A | |
| Output Capacitance(Coes) | 232pF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0039 | $ 1.0039 |
| 10+ | $0.9817 | $ 9.8170 |
| 30+ | $0.9659 | $ 28.9770 |
| 100+ | $0.9500 | $ 95.0000 |
