| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MS5N100FD |
| Référence EBEE | E85139245 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 1kV 5A 56W 4.2Ω@10V,1.75A 3.5V@100uA 1 N-channel TO-252 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6723 | $ 0.6723 |
| 10+ | $0.5623 | $ 5.6230 |
| 30+ | $0.5074 | $ 15.2220 |
| 100+ | $0.4540 | $ 45.4000 |
| 500+ | $0.3424 | $ 171.2000 |
| 1000+ | $0.3252 | $ 325.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MASPOWER MS5N100FD | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 3.5Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 3pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 104W | |
| Drain to Source Voltage | 1kV | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 506pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 59pF | |
| Gate Charge(Qg) | 18.68nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.6723 | $ 0.6723 |
| 10+ | $0.5623 | $ 5.6230 |
| 30+ | $0.5074 | $ 15.2220 |
| 100+ | $0.4540 | $ 45.4000 |
| 500+ | $0.3424 | $ 171.2000 |
| 1000+ | $0.3252 | $ 325.2000 |
