| Fabricant | |
| Référence Fabricant | MS33N10FT |
| Référence EBEE | E87424123 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 33A 130W 34mΩ@10V,12A 2V@250uA 1 N-channel TO-220 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5236 | $ 0.5236 |
| 10+ | $0.4225 | $ 4.2250 |
| 50+ | $0.3712 | $ 18.5600 |
| 100+ | $0.3214 | $ 32.1400 |
| 500+ | $0.2912 | $ 145.6000 |
| 1000+ | $0.2746 | $ 274.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | MASPOWER MS33N10FT | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 34mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 71pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 130W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.2nF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5236 | $ 0.5236 |
| 10+ | $0.4225 | $ 4.2250 |
| 50+ | $0.3712 | $ 18.5600 |
| 100+ | $0.3214 | $ 32.1400 |
| 500+ | $0.2912 | $ 145.6000 |
| 1000+ | $0.2746 | $ 274.6000 |
